Numéro de produit du fabricant:
NVMFS5113PLWFT1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NVMFS5113PLWFT1G-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Description détaillée:
P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventaire:
880 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12842457
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SOUMETTRE
NVMFS5113PLWFT1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta), 64A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base
NVMFS5113
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
NVMFS5113PLWFT1G-DG
488-NVMFS5113PLWFT1GTR
488-NVMFS5113PLWFT1GCT
488-NVMFS5113PLWFT1GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RS1L151ATTB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
10780
NUMÉRO DE PIÈCE
RS1L151ATTB1-DG
PRIX UNITAIRE
1.20
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
1.11
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
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