NTBG015N065SC1
Numéro de produit du fabricant:

NTBG015N065SC1

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTBG015N065SC1-DG

Description:

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Description détaillée:
N-Channel 650 V 145A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventaire:

1459 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12964257
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

NTBG015N065SC1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
145A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 25mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4689 pF @ 325 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
800
Autres noms
488-NTBG015N065SC1DKR
488-NTBG015N065SC1TR
488-NTBG015N065SC1CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

NTPF095N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

FCPF250N65S3L1-F154

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTMT095N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTMFS008N12MCT1G

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12