NTMT095N65S3H
Numéro de produit du fabricant:

NTMT095N65S3H

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTMT095N65S3H-DG

Description:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Description détaillée:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)

Inventaire:

2980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12964285
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SOUMETTRE

NTMT095N65S3H Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2833 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-TDFN (8x8)
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
488-NTMT095N65S3HCT
488-NTMT095N65S3HTR
488-NTMT095N65S3HDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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