Numéro de produit du fabricant:
NSVBC123JDXV6T1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NSVBC123JDXV6T1G-DG
Description:
SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventaire:
13003524
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SOUMETTRE
NSVBC123JDXV6T1G Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
2.2kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
357mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-563
Numéro de produit de base
NSVBC123
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
488-NSVBC123JDXV6T1GTR
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NSVBC143JPDXV6T1G
SS SOT563 RSTR XSTR TR
EMF4T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
EMF18T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
