Numéro de produit du fabricant:
EMF4T2R
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EMF4T2R-DG
Description:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventaire:
13003676
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SOUMETTRE
EMF4T2R Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V, 12V
Résistance - Base (R1)
2.2kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
2.2kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA, 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz, 260MHz
Puissance - Max
150mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT6
Numéro de produit de base
EMF4
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
846-EMF4T2RTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
Produits Connexes
EMF18T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
PUMD13/1F
PUMD13 - Small Signal Bipolar Tr
PBLS1504V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
