Numéro de produit du fabricant:
NDT01N60T1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NDT01N60T1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Description détaillée:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventaire:
12841772
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SOUMETTRE
NDT01N60T1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
160 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223 (TO-261)
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
NDT01
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
NDT01N60T1GOSCT
2156-DGT01N60T1G-ONTR-DG
NDT01N60T1GOSTR
NDT01N60T1G-DG
2156-NDT01N60T1G
NDT01N60T1GOSDKR
ONSONSNDT01N60T1G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STN1HNK60
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
45248
NUMÉRO DE PIÈCE
STN1HNK60-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
NTBS2D7N06M7
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
NTMFS5C628NLT3G
MOSFET N-CH 60V 5DFN
NVMFS5C670NLT1G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
