Numéro de produit du fabricant:
NTBS2D7N06M7
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTBS2D7N06M7-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
1208 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12841784
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SOUMETTRE
NTBS2D7N06M7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6655 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
176W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
NTBS2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
NTBS2D7N06M7OSCT
NTBS2D7N06M7OSTR
NTBS2D7N06M7-DG
NTBS2D7N06M7OSDKR
2832-NTBS2D7N06M7TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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