Numéro de produit du fabricant:
NDD02N60Z-1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NDD02N60Z-1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventaire:
12859230
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SOUMETTRE
NDD02N60Z-1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
274 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
NDD02
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
NDD02N60Z-1G-DG
NDD02N60Z1G
ONSONSNDD02N60Z-1G
NDD02N60Z-1GOS
2156-NDD02N60Z-1G-ON
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD2HNK60Z-1
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
3054
NUMÉRO DE PIÈCE
STD2HNK60Z-1-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
TYPE DE SUBSTITUT
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