Numéro de produit du fabricant:
STD2HNK60Z-1
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STD2HNK60Z-1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
3054 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12878482
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SOUMETTRE
STD2HNK60Z-1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
SuperMESH™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
280 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
STD2HNK60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
497-12783-5
STD2HNK60Z1
STD2HNK60Z-1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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