Numéro de produit du fabricant:
ISL9N303AP3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ISL9N303AP3-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12932178
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SOUMETTRE
ISL9N303AP3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7000 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
215W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
ISL9
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30PL,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4699
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30PL,127-DG
PRIX UNITAIRE
0.72
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