Numéro de produit du fabricant:
IRLR110ATM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLR110ATM-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12851096
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SOUMETTRE
IRLR110ATM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
440mOhm @ 2.35A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
235 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 22W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRLR11
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR110PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
376
NUMÉRO DE PIÈCE
IRLR110PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.43
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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