Numéro de produit du fabricant:
IRLR110PBF
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLR110PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
376 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12912735
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SOUMETTRE
IRLR110PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
rds activé (max) @ id, vgs
540mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
250 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRLR110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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