Numéro de produit du fabricant:
IRFM210BTF_FP001
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFM210BTF_FP001-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 200 V 770mA (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventaire:
12847178
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SOUMETTRE
IRFM210BTF_FP001 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
770mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 390mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
225 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
IRFM2
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP297H6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7629
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP297H6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.30
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PRIX UNITAIRE
0.21
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PRIX UNITAIRE
0.24
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