Numéro de produit du fabricant:
FQAF17P10
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQAF17P10-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Description détaillée:
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventaire:
12847189
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SOUMETTRE
FQAF17P10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
56W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PF
Emballage / Caisse
TO-3P-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FQAF1
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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