Numéro de produit du fabricant:
FQU2N90TU-WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQU2N90TU-WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventaire:
12848682
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SOUMETTRE
FQU2N90TU-WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
FQU2N90
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
70
Autres noms
FQU2N90TU_WS
FQU2N90TU_WS-DG
1990-FQU2N90TU-WS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD2N90TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
11464
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD2N90TM-DG
PRIX UNITAIRE
0.47
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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