Numéro de produit du fabricant:
FDD306P
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD306P-DG
Description:
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Description détaillée:
P-Channel 12 V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
7389 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848690
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SOUMETTRE
FDD306P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1290 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
52W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD306
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD306P-DG
2156-FDD306P-OS
ONSONSFDD306P
FDD306PTR
FDD306PDKR
FDD306PCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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