Numéro de produit du fabricant:
FQS4410TF
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQS4410TF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
12850440
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SOUMETTRE
FQS4410TF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1280 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FQS4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSO110N03MSGXUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7364
NUMÉRO DE PIÈCE
BSO110N03MSGXUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
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PRIX UNITAIRE
0.14
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