Numéro de produit du fabricant:
BSO110N03MSGXUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Description détaillée:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventaire:
7364 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12801287
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SOUMETTRE
BSO110N03MSGXUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.56W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-DSO-8
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
BSO110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
BSO110N03MS GINCT-DG
BSO110N03MS G-DG
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
BSO110N03MS GINTR-DG
BSO110N03MS GINDKR-DG
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINDKR
BSO110N03MSG
BSO110N03MS G
BSO110N03MSGXUMA1DKR
BSO110N03MSGXUMA1CT
BSO110N03MS GINCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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