Numéro de produit du fabricant:
FQN1N50CTA
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQN1N50CTA-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
3302 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846565
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SOUMETTRE
FQN1N50CTA Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
380mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
195 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
FQN1N50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ2HNK60ZR-AP
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
9835
NUMÉRO DE PIÈCE
STQ2HNK60ZR-AP-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
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