Numéro de produit du fabricant:
STQ2HNK60ZR-AP
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STQ2HNK60ZR-AP-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventaire:
9835 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12872963
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SOUMETTRE
STQ2HNK60ZR-AP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Box (TB)
Série
SuperMESH™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
500mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
280 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92-3
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numéro de produit de base
STQ2HNK60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
STQ2HNK60ZRAP
497-12344-1
497-12344-3
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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