Numéro de produit du fabricant:
FQB10N50CFTM-WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQB10N50CFTM-WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12837431
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SOUMETTRE
FQB10N50CFTM-WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
FRFET®, QFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
610mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2210 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
143W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FQB10N50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FQB10N50CFTMWS
FQB10N50CFTM_WSCT
FQB10N50CFTM
FQB10N50CFTM-WSTR
FQB10N50CFTM-WSDKR
FQB10N50CFTM_WS-DG
FQB10N50CFTM_WSCT-DG
FQB10N50CFTM_WSTR
FQB10N50CFTM_WSDKR-DG
FQB10N50CFTM-WSCT
FQB10N50CFTM_WSDKR
FQB10N50CFTM_WSTR-DG
FQB10N50CFTM_WS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTA6N50D2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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IXTA6N50D2-DG
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