Numéro de produit du fabricant:
FDMS6681Z
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMS6681Z-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Description détaillée:
P-Channel 30 V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
12837444
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SOUMETTRE
FDMS6681Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21.1A (Ta), 49A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10380 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
FDMS6681
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-FDMS6681Z
FDMS6681ZCT
FDMS6681ZDKR
FDMS6681ZTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC030P03NS3GAUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
24652
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC030P03NS3GAUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.09
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