FDPF041N06BL1-F154
Numéro de produit du fabricant:

FDPF041N06BL1-F154

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDPF041N06BL1-F154-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 77A (Tc) 44.1W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

940 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12985183
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SOUMETTRE

FDPF041N06BL1-F154 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
77A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5690 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
44.1W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FDPF041

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
488-FDPF041N06BL1-F154

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

BSS123IXTMA1

100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN

goford-semiconductor

G15N10C

N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1

rohm-semi

SCT4062KRHRC15

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

micro-commercial-components

MCAC28P06Y-TP

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060