Numéro de produit du fabricant:
BSS123IXTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS123IXTMA1-DG
Description:
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Description détaillée:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventaire:
12985211
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SOUMETTRE
BSS123IXTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 13µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT23-3-5
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS123
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
448-BSS123IXTMA1TR
448-BSS123IXTMA1CT
SP005558639
448-BSS123IXTMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS123IXTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7750
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS123IXTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
G15N10C
N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
SCT4062KRHRC15
1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
