Numéro de produit du fabricant:
FDN5630-B8
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDN5630-B8-DG
Description:
FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventaire:
12975173
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SOUMETTRE
FDN5630-B8 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FDN5630-B8TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPT65R099CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
G65P06D5
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
