Numéro de produit du fabricant:
G65P06D5
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G65P06D5-DG
Description:
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Description détaillée:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventaire:
12975178
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SOUMETTRE
G65P06D5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5814 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (4.9x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-G65P06D5TR
4822-G65P06D5TR
3141-G65P06D5DKR
3141-G65P06D5CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
MCG25P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
RQ7G080BGTCR
NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET