FDMS8460
Numéro de produit du fabricant:

FDMS8460

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDMS8460-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 40 V 25A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventaire:

23537 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839598
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDMS8460 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Ta), 49A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7205 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
FDMS84

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMS8460DKR
FDMS8460CT
FDMS8460TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FDMS3662

MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN

onsemi

FDPF18N20FT

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

onsemi

FQP2N80

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3

onsemi

FCPF190N60E-F152

MOSFET N-CH 600V TO-220-3