Numéro de produit du fabricant:
FDPF18N20FT
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDPF18N20FT-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12839600
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SOUMETTRE
FDPF18N20FT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1180 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
41W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FDPF18
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-FDPF18N20FT-OS
FAIFSCFDPF18N20FT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX200N20
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
118
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX200N20-DG
PRIX UNITAIRE
0.56
TYPE DE SUBSTITUT
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