FDI3652
Numéro de produit du fabricant:

FDI3652

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDI3652-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 9A/61A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventaire:

12848698
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SOUMETTRE

FDI3652 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta), 61A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 61A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2880 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FDI3652

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
400

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDP3652
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
595
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP3652-DG
PRIX UNITAIRE
0.71
TYPE DE SUBSTITUT
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