Numéro de produit du fabricant:
FDB8880
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB8880-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12848707
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SOUMETTRE
FDB8880 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 54A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1240 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
55W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FDB888
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FDB8880-DG
FDB8880DKR
FDB8880TR
FDB8880CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30BL,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
9945
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R3-30BL,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.58
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN017-30BL,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
1868
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN017-30BL,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
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