Numéro de produit du fabricant:
FDG410NZ
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDG410NZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Description détaillée:
N-Channel 20 V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventaire:
12851456
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SOUMETTRE
FDG410NZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
535 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
420mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-88 (SC-70-6)
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de produit de base
FDG410
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2832-FDG410NZTR
FDG410NZTR
FDG410NZDKR
FDG410NZCT
FDG410NZ-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD16301Q2
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
7317
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD16301Q2-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
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