Numéro de produit du fabricant:
HUF75339G3
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HUF75339G3-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12851464
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SOUMETTRE
HUF75339G3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UltraFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
HUF75
Informations supplémentaires
Forfait standard
300
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP3306PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
970
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP3306PBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.37
TYPE DE SUBSTITUT
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