Numéro de produit du fabricant:
FDFMA2P859T
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDFMA2P859T-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
Inventaire:
12836659
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SOUMETTRE
FDFMA2P859T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
435 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MicroFET 2x2 Thin
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDFMA2
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDFMA2P859TDKR
FDFMA2P859TCT
FDFMA2P859TTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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