Numéro de produit du fabricant:
FQA38N30
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQA38N30-DG
Description:
MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 300 V 38.4A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12836661
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SOUMETTRE
FQA38N30 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 19.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FQA3
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2166-FQA38N30-488
2832-FQA38N30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
Certification DIGI
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