Numéro de produit du fabricant:
FDD6685-G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6685-G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Description détaillée:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12997410
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SOUMETTRE
FDD6685-G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1715 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
488-FDD6685-GTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RF4G100BGTCR
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
NVH4L020N090SC1
SIC MOSFET 900V TO247-4L
PJMF390N65EC_T0_00001
650V SUPER JUNCITON MOSFET
