Numéro de produit du fabricant:
RF4G100BGTCR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RF4G100BGTCR-DG
Description:
NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Description détaillée:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Inventaire:
2790 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12997414
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SOUMETTRE
RF4G100BGTCR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
530 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN2020-8S
Emballage / Caisse
8-PowerUDFN
Numéro de produit de base
RF4G100
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RF4G100BGTCRDKR
846-RF4G100BGTCRTR
846-RF4G100BGTCRCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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