FDD1600N10ALZD
Numéro de produit du fabricant:

FDD1600N10ALZD

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDD1600N10ALZD-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Description détaillée:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventaire:

12851225
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SOUMETTRE

FDD1600N10ALZD Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
225 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
14.9W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Numéro de produit de base
FDD160

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD1600N10ALZD-DG
FDD1600N10ALZDCT
FDD1600N10ALZDDKR
FDD1600N10ALZDTR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDD1600N10ALZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
6334
NUMÉRO DE PIÈCE
FDD1600N10ALZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
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