Numéro de produit du fabricant:
FCP360N65S3R0
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP360N65S3R0-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
411 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12851229
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SOUMETTRE
FCP360N65S3R0 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® III
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
730 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP360
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-FCP360N65S3R0-488
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP16N65M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP16N65M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.01
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
2.01
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