Numéro de produit du fabricant:
FDC636P
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDC636P-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventaire:
12848361
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SOUMETTRE
FDC636P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
390 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC636
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDC636P-DG
FDC636PCT
FDC636PDKR
FDC636PTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS3443T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
36863
NUMÉRO DE PIÈCE
NTGS3443T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
23
NUMÉRO DE PIÈCE
AO6415-DG
PRIX UNITAIRE
0.10
TYPE DE SUBSTITUT
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