Numéro de produit du fabricant:
FDD6N50TM-WS
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD6N50TM-WS-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
12848366
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SOUMETTRE
FDD6N50TM-WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
UniFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD6N50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD6N50TM-WSDKR
FDD6N50TM-WSTR
FDD6N50TM_WSCT
FDD6N50TMWS
FDD6N50TM_WSDKR
FDD6N50TM_WSCT-DG
FDD6N50TM_WSTR-DG
FDD6N50TM_WSDKR-DG
FDD6N50TM_WS
FDD6N50TM_WSTR
FDD6N50TM-WSCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7P50D(T6RSS-Q)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
1980
NUMÉRO DE PIÈCE
TK7P50D(T6RSS-Q)-DG
PRIX UNITAIRE
0.49
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.66
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QUANTITÉ DISPONIBLE
2751
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PRIX UNITAIRE
0.45
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0.55
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