Numéro de produit du fabricant:
FDB86363-F085
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB86363-F085-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
16 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12837871
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SOUMETTRE
FDB86363-F085 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10000 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FDB86363
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FDB86363_F085
FDB86363_F085CT
FDB86363-F085TR
FDB86363_F085TR-DG
FDB86363-F085CT
FDB86363_F085DKR
FDB86363_F085CT-DG
FDB86363_F085TR
FDB86363_F085DKR-DG
FDB86363-F085DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB024N08N5ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
990
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB024N08N5ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.74
TYPE DE SUBSTITUT
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PRIX UNITAIRE
2.00
TYPE DE SUBSTITUT
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