Numéro de produit du fabricant:
FDP120AN15A0
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP120AN15A0-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Description détaillée:
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
12837876
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SOUMETTRE
FDP120AN15A0 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
770 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
65W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FDP120
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N25
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
RCX120N25-DG
PRIX UNITAIRE
1.05
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
HUF75345P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
AUIRLR3105
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
AUIRF3710ZS
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
