Numéro de produit du fabricant:
FDB2572
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB2572-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
Description détaillée:
N-Channel 150 V 4A (Ta), 29A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
593 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13209377
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SOUMETTRE
FDB2572 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta), 29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
54mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1770 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FDB257
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
488-FDB2572TR
FDB2572-ND
FDB2572TR
488-FDB2572CT
FDB2572CT
FDB2572DKR
488-FDB2572DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB2572
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
593
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB2572-DG
PRIX UNITAIRE
0.84
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMC8588DC
MOSFET N CH 25V 40A POWER33
NVMFS5844NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL
NVTFS5826NLTWG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN