Numéro de produit du fabricant:
FDB16AN08A0
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB16AN08A0-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12838098
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SOUMETTRE
FDB16AN08A0 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1857 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
135W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
FDB16AN08
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FDB16AN08A0-DG
FDB16AN08A0CT
FDB16AN08A0DKR
FDB16AN08A0TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN017-80BS,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
2313
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN017-80BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.56
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