Numéro de produit du fabricant:
FQD16N25CTM
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FQD16N25CTM-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
33677 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12838112
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FQD16N25CTM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
270mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FQD16N25
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FQD16N25CTMTR
FQD16N25CTMDKR
FQD16N25CTMCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSS138N E8004
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
FQP15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3
BSP317PE6327
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
