Numéro de produit du fabricant:
FCPF650N80Z
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCPF650N80Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
986 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12851558
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SOUMETTRE
FCPF650N80Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1565 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FCPF650
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
ONSONSFCPF650N80Z
2156-FCPF650N80Z-OS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8A65D(STA4,Q,M)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
53
NUMÉRO DE PIÈCE
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
PRIX UNITAIRE
0.92
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.42
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0
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PRIX UNITAIRE
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