FCPF190N65FL1-F154
Numéro de produit du fabricant:

FCPF190N65FL1-F154

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FCPF190N65FL1-F154-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventaire:

971 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12955127
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SOUMETTRE

FCPF190N65FL1-F154 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.6A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3055 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FCPF190

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
488-FCPF190N65FL1-F154
2832-FCPF190N65FL1-F154

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
harris-corporation

RF1S50N06

50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL

infineon-technologies

IPP070N08N3GXKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO3459

MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3

renesas-electronics-america

2SK973L-E

GENERAL SWITCHING POWER MOSFET