Numéro de produit du fabricant:
RF1S50N06
Product Overview
Fabricant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RF1S50N06-DG
Description:
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Description détaillée:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Inventaire:
2746 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12955141
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RF1S50N06 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2020 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
131W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK (TO-262)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
290
Autres noms
2156-RF1S50N06
HARHARRF1S50N06
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP070N08N3GXKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
AO3459
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
2SK973L-E
GENERAL SWITCHING POWER MOSFET
