Numéro de produit du fabricant:
IPL60R185C7AUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPL60R185C7AUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Description détaillée:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventaire:
2932 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12801462
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SOUMETTRE
IPL60R185C7AUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
185mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
77W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-VSON-4
Emballage / Caisse
4-PowerTSFN
Numéro de produit de base
IPL60R185
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
INFINFIPL60R185C7AUMA1
2156-IPL60R185C7AUMA1
448-IPL60R185C7AUMA1TR
IPL60R185C7AUMA1-DG
SP001296238
448-IPL60R185C7AUMA1CT
448-IPL60R185C7AUMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
2A (4 Weeks)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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