Numéro de produit du fabricant:
FCH110N65F-F155
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH110N65F-F155-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
417 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12845677
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SOUMETTRE
FCH110N65F-F155 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
FRFET®, SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4895 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH110
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
FCH110N65F_F155-DG
FCH110N65F_F155
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX48N60Q3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
38
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX48N60Q3-DG
PRIX UNITAIRE
17.23
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